在嵌入式开发中,MCU 内部的 Flash 常用于存储配置信息、日志数据或用于 OTA 升级。STM32F4 系列 MCU 提供了对 Flash 的灵活操作能力,包括按扇区擦除、字节或半字写入等。本文将围绕一段实际使用的 Flash 操作代码进行讲解,主要涉及 Flash 的擦除、写入与读取功能。
一、Flash 结构及操作基本原理
STM32F4 MCU 的 Flash 存储器按照扇区(Sector)划分,每个扇区大小不一,例如在 STM32F407 中,前四个扇区大小为 16KB,第五个为 64KB,之后为若干个 128KB 的大扇区。片上 Flash 支持:
- 扇区级擦除(Sector Erase)
- 多种对齐方式的编程(如 Byte、Halfword、Word、Double Word)
- 擦写需先解锁并清除相关标志位
操作前需解锁 Flash 控制器,完成后应及时锁定以防意外写入。
二、Flash 扇区映射及擦除操作
代码中的扇区映射表 sec_map[] 采用结构体 sec_info_t 维护每个扇区的起始地址、大小及编号:
typedef struct {
unsigned int start;
unsigned int size;
unsigned int secnum;
} sec_info_t;
这是一个结构体类型,表示每个扇区的起始地址、扇区大小和扇区编号。接着通过一个常量数组 sec_map[] 列出 Flash 不同扇区的信息:
const sec_info_t sec_map[] =
{
{0x08000000, 16*1024, FLASH_Sector_0},
{0x08004000, 16*1024, FLASH_Sector_1},
{0x08008000, 16*1024, FLASH_Sector_2},
{0x0800C000, 16*1024, FLASH_Sector_3},
{0x08010000, 64*1024, FLASH_Sector_4},
{0x08020000, 128*1024, FLASH_Sector_5},
{0x08040000, 128*1024, FLASH_Sector_6},
{0x08040000, 128*1024, FLASH_Sector_7}
};
该映射表根据 STM32F4 的 Flash 布局列出了常用的 8 个扇区。
二、Flash 擦除函数讲解
函数 mcu_flash_erase() 实现对 Flash 指定地址范围的擦除。
int mcu_flash_erase(unsigned int addr, size_t size)
- addr: 要擦除的起始地址
- size: 要擦除的范围(单位为字节)
函数先计算扇区数量:
int len = sizeof(sec_map) / sizeof(sec_info_t);
然后依次遍历扇区,找出与 addr 和 size 匹配的扇区范围,并执行擦除:
status = FLASH_EraseSector(sec->secnum, VoltageRange_2);
在执行擦除之前必须解锁 Flash:
FLASH_Unlock();
擦除完成后锁定 Flash:
FLASH_Lock();
最后返回 1 表示成功,返回 0 表示擦除失败。
三、Flash 写入函数讲解
写入函数为:
int mcu_flash_write(unsigned int addr ,const void *buf, size_t size)
- addr: 写入的起始地址
- buf: 待写入的数据缓冲区
- size: 写入数据的字节数
写入之前,同样要进行 Flash 解锁,并清除标志位:
FLASH_Unlock();
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_OPERR |
FLASH_FLAG_PGAERR);
然后进入一个循环,按字节或半字方式逐步写入 Flash:
if ((addr & 1) == 0 && size > 2) {
status = FLASH_ProgramHalfWord(addr, *((uint16_t *)p));
wrlen = 2;
} else {
status = FLASH_ProgramByte(addr, *((uint8_t *)p));
wrlen = 1;
}
写入完成后更新地址和缓冲区指针:
size -= wrlen;
addr += wrlen;
p += wrlen;
如果写入中某次操作返回错误,则提前跳出,最后执行锁定操作并返回是否写入成功:
FLASH_Lock();
return ret;
四、Flash 读取函数讲解
读取函数的接口为:
int mcu_flash_read(unsigned int addr ,void *buf, size_t size)
该函数直接通过内存拷贝读取 Flash 数据:
memcpy(buf, (void *)addr, size);
return 0;
其中 addr 是 Flash 的起始地址,buf 是目标缓存区,size 是读取字节数。由于 STM32 的 Flash 可以直接映射为内存读取,因此可以像访问普通内存一样操作。
五、总结
本篇文章介绍了 STM32F4 MCU 内部 Flash 的基础操作实现,包括:
- 使用结构体映射 Flash 扇区信息
- 实现 Flash 擦除函数,通过匹配地址范围擦除对应扇区
- 实现 Flash 写入函数,按字节或半字逐步写入 Flash
- 实现 Flash 读取函数,通过 memcpy 方式直接读取 Flash 内容
以上代码适用于裸机开发,也可作为 STM32 Flash 操作的基础模板,配合上层协议或文件系统进行扩展应用,如参数存储、数据记录、Bootloader 固件升级等功能。
开源源码供参考:
#include "mcu_flash.h"
#include "stm32f4xx.h"
#include <string.h>
typedef struct {
unsigned int start;
unsigned int size;
unsigned int secnum;
}sec_info_t;
/*扇区地址映射 ---------------------------------------------------------------*/
const sec_info_t sec_map[] =
{
{0x08000000, 16*1024, FLASH_Sector_0},
{0x08004000, 16*1024, FLASH_Sector_1},
{0x08008000, 16*1024, FLASH_Sector_2},
{0x0800C000, 16*1024, FLASH_Sector_3},
{0x08010000, 64*1024, FLASH_Sector_4},
{0x08020000, 128*1024, FLASH_Sector_5},
{0x08040000, 128*1024, FLASH_Sector_6},
{0x08040000, 128*1024, FLASH_Sector_7}
};
/*
* @brief stm32 mcu 内部flash擦除操作
* @param[in] addr - 地址
* @param[in] 探险大小 - size
* @return 0 - 失败, 非0 - 成功
*/
int mcu_flash_erase(unsigned int addr, size_t size)
{
int i;
int len = sizeof(sec_map) / sizeof(sec_info_t);
const sec_info_t *sec = &sec_map[len - 1];
FLASH_Status status;
/*越界处理*/
if (addr > sec->start + sec->size)
return 0;
FLASH_Unlock();
for (i = 0; i < len; i++)
{
sec = &sec_map[i];
if ( (sec->start >= addr && sec->start < addr + size) ||
(sec->start + sec->size > addr && sec->start + sec->size <= addr + size))
{
//FLASH_OB_WRPConfig();
status = FLASH_EraseSector(sec->secnum, VoltageRange_2);
if (status != FLASH_COMPLETE)
{
FLASH_Lock();
return 0;
}
}
}
FLASH_Lock();
return 1;
}
/*
* @brief stm32 mcu 内部flash写操作
* @param[in] addr - 地址
* @param[in] buf - 数据缓冲区
* @param[in] 写入大小 - size
* @return 0 - 失败, 非0 - 成功
*/
int mcu_flash_write(unsigned int addr ,const void *buf, size_t size)
{
unsigned char *p = (uint8_t *)buf;
// unsigned int base = addr;
// size_t tlen = size;
int wrlen;
FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
int ret = 0;
FLASH_Unlock();
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_OPERR |
FLASH_FLAG_PGAERR);
while (size) {
#if 0
/*根据对齐方式优化写入长度*/
if ((addr & 7) == 0 && size > 8) /*8字节对齐,按双字写入*/
{
status = FLASH_ProgramDoubleWord(addr, *((uint64_t *)p));
if (status != FLASH_COMPLETE)
goto _quit;
wrlen = 8;
}
else if ((addr & 3) == 0 && size > 4) /*4字节对齐,按字写入*/
{
status = FLASH_ProgramWord(addr, *((uint32_t *)p));
if (status != FLASH_COMPLETE)
goto _quit;
wrlen = 4;
}
else if ((addr & 1) == 0 && size > 2) /*2字节对齐,按半字写入*/
{
status = FLASH_ProgramHalfWord(addr, *((uint16_t *)p));
if (status != FLASH_COMPLETE)
goto _quit;
wrlen = 2;
}
else /*按字节写入 --------*/
{
status = FLASH_ProgramByte(addr, *((uint8_t *)p));
if (status != FLASH_COMPLETE)
goto _quit;
wrlen = 1;
}
#endif
if ((addr & 1) == 0 && size > 2) /*2字节对齐,按半字写入*/
{
status = FLASH_ProgramHalfWord(addr, *((uint16_t *)p));
if (status != FLASH_COMPLETE)
goto _quit;
wrlen = 2;
}
else /*按字节写入 --------*/
{
status = FLASH_ProgramByte(addr, *((uint8_t *)p));
if (status != FLASH_COMPLETE)
goto _quit;
wrlen = 1;
}
/*地址偏移 -------------------------------------------------------*/
size -= wrlen;
addr += wrlen;
p += wrlen;
}
_quit:
ret = status == FLASH_COMPLETE;// && memcmp(buf, (void *)base, tlen) ? 1 : 0;
FLASH_Lock();
return ret;
}
/*
* @brief stm32 mcu 内部flash读操作
* @param[in] addr - 地址
* @param[in] buf - 数据缓冲区
* @param[in] 读出长度 - size
* @return 0 - 失败, 非0 - 成功
*/
int mcu_flash_read(unsigned int addr ,void *buf, size_t size)
{
memcpy(buf, (void *)addr, size);
return 0;
}